发信人: 071130008 (昂雷), 信区: S_Chemistry
标 题: 恭喜沈群东教授课题组一篇AFM发表～求请客～
发信站: 南京大学小百合站 (Tue Jan 22 22:41:19 2013)


首先恭喜大师兄陈相仲发表的这篇AFM，高影响因子的文章越来越不好发了呀...

嗯，按照老板大人的旨意呢，更要恭喜的应该是在铁电高分子领域取得的发展～

大家都知道现在的电子产品的发展很大程度上依赖于其存储能力的发展，嗯，不说无机有
机半有机什么的，那高分子可不可以进行信号的存储呢？又是怎么样进行存储的呢？

铁电高分子的结晶区是非常有序的，然而，它的某种构型可以对电场产生响应，发生结构
的翻转，如图



我们可以定义一种情况下的信号作为0，另一种作为1，嗯，最基本的信号就出来了，下面
要解决的就是放大到一整个阵列了，大师兄旋涂旋涂成膜之后进行纳米尺度的压印，形成
纳米尺度的点阵，再次如图




这就是一个纳米尺度的阵列了！不要觉得这个尺度很大，存储容量已经达到了74.5 Gb/
inch2

这还只是单层膜～

呼～很有前途吧～


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※ 来源:．南京大学小百合站 http://bbs.nju.edu.cn [FROM: 172.17.241.86]
http://bbs.nju.edu.cn/bbstcon?board=S_Chemistry&file=M.1358865679.A
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